Une équipe de NTHU fait une découverte majeure dans le domaine des MRAM

D’après le Professeur Lai Chih-hunag (賴志煌), la MRAM présente de nombreux avantages face à la mémoire vive dynamique (DRAM) et la mémoire vive statique (SRAM). La MRAM est notamment plus rapide, moins énergivores et les informations stockées ne sont pas perdues après une coupure de courant. En effet, le stockage de données s’effectue non plus grâce à la charge de l’électron, mais grâce à son spin (moment magnétique de l’électron).

L’utilisation du moment magnétique de l’électron permet de réaliser un échange entre les parties ferromagnétiques et antiferromagnétiques. Les chercheurs ont réussi à surmonter un obstacle technologique vieux de 60 ans.
Dans ces composants électroniques multicouches, le couplage d’échange entre une couche ferromagnétique et une couche antiferromagnétique permet de piéger l’aimantation de la couche ferromagnétique. La difficulté est de rendre cette manipulation aisée, à température ambiante, a expliqué Lai Chih-huang [賴志煌], professeur au département de science des matériaux et d’ingénierie de la NTHU qui a mené ces travaux aux côtés du professeur Lin Hsiu-hau [林秀豪] du département de physique de l’université.
En ajoutant sous ces deux couches une couche de platine, l’équipe taiwanaise a justement pu utiliser un courant de spin engendré par un flux d’électrons pour manipuler ce couplage d’échange. Cette technique a été brevetée à Taiwan, aux Etats-Unis et en Chine, avant la publication des travaux dans la revue Nature Materials du 18 février 2019.

L’équipe taïwanaise a bénéficié d’un financement du ministère des Sciences et Technologies, et de partenariats avec l’Institut de recherche sur les semiconducteurs du ministère ainsi qu’avec d’autres universités, a précisé Lai Chih-huan.

Source :
Taipei Times(15 mars 2019) :
http://www.taipeitimes.com/News/taiwan/archives/2019/03/15/2003711525

Rédacteur :
Jonathan Drubay,
jonathan.drubay[at]diplomatie.gouv.fr
https://www.france-taipei.org/