Japon
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Science de la terre, de l’univers et de l’environnement : énergie, transports, espace, environnement
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Horizon 2020 : innovations et progrès techniques
Brève
9 septembre 2015
Un nouvel onduleur solaire très petit a été développé par Toshiba pouvant être accroché directement sur le panneau et améliorant ces performances.
Royaume-Uni
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Science de la matière : matériaux, physique, chimie, optique
Actualité
8 septembre 2015
La « charity » britannique dédiée à l’innovation, Nesta, a publié récemment une étude qui utilise le « data mining » afin de comprendre et de cartographier le développement et la commercialisation de cette technologie émergente et en rapide croissance qu’est le graphène.
Chine
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Science de la terre, de l’univers et de l’environnement : énergie, transports, espace, environnement
Actualité
8 septembre 2015
Depuis la construction de la première ligne Qinhuangdao–Shenyang en 1999, le paysage ferroviaire en Chine a bien changé. En quinze ans à peine, le réseau ferroviaire à grande vitesse chinois est devenu le plus long au monde : plus de 17 000 kilomètres de voies permettent aujourd’hui de desservir une centaine de villes et de transporter près de 54 millions de voyageurs par an.
Japon
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Science de la matière : matériaux, physique, chimie, optique
Actualité
8 septembre 2015
Les entreprises japonaises développent de plus en plus de solutions pour faire face aux effets des séismes sur les bâtiments et notamment sur le balancement des gratte-ciels.
Argentine
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Biologie : médecine, santé, pharmacie, biotechnologie
Brève
7 septembre 2015
Le 23 octobre 2015, la Faculté d’Ingénierie de l’Université de Buenos Aires et son Laboratoire Internationale Associée « Physique et Mécanique des Fluides » , accueillera un atelier sur les fluides actifs.
Allemagne
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Science de la matière : matériaux, physique, chimie, optique
Actualité
7 septembre 2015
Une équipe du centre Helmholtz pour les Matériaux et l’Énergie de Berlin (HZB), dirigée par le professeur Silke Christiansen, a découvert qu’un empilement composé d’un matériau organique conducteur, le PEDOT:PSS [1], sur un substrat de silicium dopé de type n [2], a des propriétés physiques plus proches d’une interface entre deux semi-conducteurs, l’un dopé n, l’autre dopé p [3] (jonction PN) que d’une jonction entre un métal et un semi-conducteur (jonction Schottky).
